В 1963 году у бессчетного семейства тринисторов возник очередной "сродник" - симистор. Чем же он различается от собственных «собратьев» - тринисторов (тиристоров)? Попробуйте вспомнить о свойствах этих приборов. Их работу часто ассоциируют с деянием обыкновенной двери: прибор заперт - ток в цепи отсутствует (дверь закрыта - прохода отсутствует), прибор раскрыт - в цепи появляется электрический ток (дверь отворилась - входите). Только у их имеется совместный недочет. Тиристоры пропускают ток лишь в прямом направленности - этак рядовая дверь просто раскрывается "от себя", только насколько ни тащи ее на себя - в противоположную сторону, все стремления окажутся тщетными.

Увеличив число полупроводниковых слоев тиристора с четырех по 5 а также снабдив его правящим электродом, эксперты нашли, что прибор с таковой структурой (вышеназванный потом симистором) способен впускать электрический ток как в прямом, этак а также в обратном направленностях.

Поглядите на набросок 1, изображающий здание полупроводниковых слоев симистора. Снаружи они подсказывают транзисторную структуру р-n-р типа, только различаются тем, что имеют 3 доп области с n-проводимостью. А также вот оно что любопытно: как оказалось, две из их, расположенные у катода а также анода, исполняют функции лишь 1-го полупроводникового слоя - четвертого. 5-ый сформирует область с n-проводимостью, лежащая возле правящего электрода.

Ясно, что служба такового прибора базирована на наиболее трудных телесных действиях, чем у остальных типов тиристоров. Чтобы превосходнее ориентироваться в принципе деяния симистора, воспользуемся его тиристорным аналогом. Отчего конкретно тиристорным? Ремесло в том, что деление четвертого полупроводникового слоя симистора никак не случаем. Благодаря таковой структуре при прямом направленности тока, протекающего через прибор, анод а также катод исполняют свои главные функции, а при обратном они как бы изменяются местами - анод делается катодом, а катод, напротив, анодом, другими словами симистор позволительно разглядывать как 2 встречно-параллельно включенных тиристора (рис. 2).