| Схемы подключения биполярных транзисторов - 10 |
|
Характерной индивидуальностью схемы ОК является то, что ее коллекторный ток Iк зависит лишь от противодействия перегрузки а также напряжения родника входного сигнала. При всем этом характеристики транзистора здесь вообщем безличный роли никак не играют. Про такие схемы говорят, что они обхвачены стопроцентной обратной связью сообразно напряжению. Как показано на рисунке 9 ток в эмиттерной перегрузке (он же ток эмиттера) Iн = Iк + Iб. Принимая во интерес, что ток базы Iб ничтожно мал сообразно сопоставлению с током коллектора Iк, разрешено считать, что ток перегрузки равен току коллектора Iн = Iк. Ток в перегрузке станет (Uвх - Uбэ)/Rн. При всем этом станем полагать, что Uбэ популярен а также постоянно равен 0,6В. Значит, что ток коллектора Iк = (Uвх - Uбэ)/Rн зависит только от входного напряжения а также противодействия перегрузки. Противодействие перегрузки позволительно видоизменять в широких пределах, истина, при всем этом особенно стараться не нужно. Ведь ежели заместо Rн определить гвоздь - сотку, то безличный филдистор никак не выдержит! Методика ОК дозволяет довольно просто замерить неподвижный коэффициент передачи тока h21э. Как это свершить, показано на рисунке 10. Набросок 10. Поначалу следует замерить ток перегрузки, как показано на рисунке 10а. При всем этом основание транзистора никуда включать не нужно, как показано на рисунке. После чего измеряется ток базы в согласовании с рисунком 10б. Измерения обязаны в обоих вариантах изготавливаться в одних величинах: или в амперах, или в миллиамперах. Усилие родника кормленья а также перегрузка обязаны сохраниться постоянными при обоих измерениях. Чтобы выяснить неподвижный коэффициент передачи тока довольно ток перегрузки поделить на ток базы: h21э ≈ Iн/Iб. Нужно отметить, что при увеличении тока перегрузки h21э некоторое количество миниатюризируется, а при увеличении напряжения кормления возрастает. Эмиттерные повторители часто строятся сообразно двухтактной схеме с использованием комплементарных пар транзисторов, что дозволяет прирастить выходную емкость устройства. Таковой эмиттерный повторитель показан на рисунке 11. Набросок 11. Набросок 12. |

